Samsung Electronics, ha annunciato di aver iniziato a produrre in serie, il primo Universal Flash Storage eUFS 3.0 da 512 GB, per i prossimi smartphone di nuova generazione. La nuova memoria offre il doppio della velocità del precedente storage eUFS 2.1, consentendo alla memoria di supportare ogni futura richiesta dell’utente, senza interruzioni negli smartphone con schermi ad alta risoluzione.

La eUFS 3.0 di Samsung è formata da otto layer V-NAND da 512 gigabit (Gb) della quinta generazione e integra un controller ad alte prestazioni. Grazie ai 2.100 megabyte al secondo, la nuova eUFS raddoppia la velocità di lettura sequenziale dell’ultima memoria eUFS 2.1, annunciata a gennaio. Velocità della memoria che supera per 4 volte quella di un SSD, ed è 20 volte più veloce di una tipica scheda microSD.

La velocità di scrittura sequenziale è stata migliorata del 50%, così da essere eguagliata a quella di un SSD SATA. Le velocità di lettura e scrittura casuali della nuova memoria forniscono un aumento del 36% rispetto all’eUFS 2.1, permettendo l’esecuzione di 63.000 operazioni in input e 68.000 in output (al secondo). Oltre alla versione da 512 GB, Samsung produrrà una versione da 128GB/256GB/1TB (però le ultime due verranno prodotte solo nella seconda metà dell’anno).

Cheol Choi, vice presidente esecutivo di “Memory Sales & Marketing”, ha dichiarato:
L’inizio della produzione di massa della nostra gamma eUFS 3.0 ci offre un grande vantaggio nel mercato mobile di prossima generazione, a cui stiamo portando una velocità di lettura della memoria che finora era disponibile solo su laptop ultrasottili.

Storage Memory Sequential
Read Speed
Sequential
Write Speed
Random
Read Speed
Random
Write Speed
512GB eUFS 3.0
(Feb. 2019)
2100MB/s
(x2.10)
410MB/s
(x1.58)
63,000 IOPS
(x1.09)
68,000 IOPS
(x1.36)
1TB eUFS 2.1
(Jan. 2019)
1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
512GB eUFS 2.1
(Nov. 2017)
860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
eUFS 2.1 for automotive
(Sep. 2017)
850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
256GB UFS Card
(Jul. 2016)
530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
256GB eUFS 2.0
(Feb. 2016)
850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
128GB eUFS 2.0
(Jan. 2015)
350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s  90MB/s  7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s  50MB/s  7,000 IOPS  2,000 IOPS